Главне разлике измеђусупстрат силицијум нитридаи супстрат су њихове дефиниције, употребе и карактеристике.
Супстрат силицијум нитрида:Супстрат силицијум нитридаје керамички материјал који се углавном користи у производњи енергетских полупроводничких уређаја, посебно енергетских модула. Има високу топлотну проводљивост, високу механичку чврстоћу и добро термичко усклађивање, и погодан је за сценарије примене који захтевају високу поузданост и отпорност на високе температуре. Супстрат: Подлога се обично односи на основну потпорну структуру која се користи за производњу чипова. Уобичајени материјали супстрата укључују монокристалне силиконске плочице, СОИ супстрате, СиГе супстрате итд. Избор подлоге зависи од специфичних захтева примене, као што су интегрисана кола, микропроцесори, меморија итд.
Висока топлотна проводљивост: Топлотна проводљивост силицијум нитрида је чак 80 В/м·К или више, што је погодно за потребе дисипације топлоте уређаја велике снаге. Висока механичка чврстоћа: Има високу чврстоћу на савијање и високу жилавост лома, осигуравајући његову високу поузданост. Усклађивање коефицијента термичке експанзије: Веома је сличан кристалном супстрату СиЦ, обезбеђујући стабилно подударање између њих и повећавајући укупну поузданост .
Супстрат
Различити типови Укључујући монокристалне силицијумске плочице, СОИ супстрате, СиГе супстрате, итд., Сваки материјал супстрата има своје специфично поље примене и предности перформанси .
Широк спектар употребе : Користи се за производњу различитих типова чипова и уређаја, као што су интегрисана кола, микропроцесори, меморија, итд. .
Супстрат силицијум нитрида: Углавном се користи за уређаје велике снаге у пољима као што су возила са новом енергијом и модерни транспортни путеви. Због својих одличних перформанси одвођења топлоте, механичке чврстоће и стабилности, погодан је за високе захтеве поузданости у сложеним окружењима .
Подлога: Широко се користи у производњи различитих чипова, а специфична примена зависи од врсте подлоге. На пример, монокристалне силицијумске плочице се широко користе у производњи интегрисаних кола и микропроцесора, СОИ супстрати су погодни за интегрисана кола високих перформанси, мале снаге, а СиГе супстрати се користе за биполарне транзисторе са хетеропрелазом и кола мешовитих сигнала, итд. .